Efekty promieniowania P.K.Skorobogatov
- Pruszków, mazowieckie
- 09 Wrz 12:32
- Nr ogłoszenia: 68783867
- Dostępność: dostępne
1 / 2
Obserwuj
- Oferta od osoby prywatnej
- Stan używane
- Rok wydania 1989
- Okładka twarda
HOMI
18-50
CW I
IWW.
S
4
வ
OI
Ederiue
TO IT IS
15 13 I/F
Пе 12
18
50 53 55 53 5/7 5/2 s/e на биполярных
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие
Глава 1. Элементы теории взаимодействия ионизирующих излучений материалами электронной техники
1.1. Механизмы энерговыделения излучений в веществе
1.1.1. Параметры и виды энерговыделения
*
1.1.2. Особенности оценки внутренней радиационной обстановки 1.2. Формирование радиационных эффектов в полупроводника и Диэлектриках
1.2.1. Формирование эффектов смещения
1.2.2. Ионизация в полупроводниках и диэлектриках
1.3. Влияние ионизирующих излучений на электрофизические парамет ры полупроводников и диэлектриков
1.3.1. Влияние эффектов смещения на электрофизические свой ства полупроводников
1.3.2. Влияние ионизационных эффектов на электрофизические свойства полупроводников и диэлектриков Глава 2. Влияние ионизирующих излучений на характеристики элементов ИМС
2.1. Классификация радиационных эффектов в элементах ИМС 2.2. Особенности проявления переходных ионизационных эффектов 2.3. Влияние остаточных эффектов. Долговременные изменения пара метров транзисторов.
2.3.1. Биполярные транзисторы
2.3.2. Униполярные транзисторы
2.4. Модели электронно-дырочных переходов
2.5. Транзисторные структуры и их модели
2.5.1. Транзисторные структуры на биполярных элементах 2.5.2. Транзисторные структуры на униполярных элементах
2.6. Влияние ионизирующего излучения на шумовые свойства тран зисторов
2.7. Пассивные элементы ИМС и их модели
2.8. Вторичные ионизационные эффекты в интегральных структура Глава 3. Радиационные эффекты в цифровых ИМС
252
3.1. Определение радиационной стойкости цифровых ИМС 3.2. Радиационные эффекты в электронных ключах
1
8
3.2.1. Электронные ключи на биполярных транзисторах 3.2.2. Электронные ключи на униполярных транзисторах 3.3. Остаточные радиационные эффекты в логических интегральных Микросхемах
3.3.1. Логические микросхемы на биполярных транзисторах 3.3.2. Логические микросхемы на МДП-транзисторах...
3.4. Переходные первичные ионизационные эффекты в электронный
ключах
телях
Переходные первичные ионизационные эффекты в цифровых Микросхемах
3.5.1. Биполярные микросхемы
3.5.2. Микросхемы на униполярных транзисторах
3.6. Вторичные ионизационные эффекты в цифровых микросхемах 3.6.1. "Радиационное защелкивание" в биполярных микросхемах 3.6.2. "Радиационное защелкивание" в микросхемах на унипо-
.. 146
146
154
159
159
лярных транзисторах
... ... ..
162
3.7. Сравнительная оценка радиационной стойкости цифровых микро-
схем
...
Глава 4. Радиационные эффекты в аналоговых ИМС общего назначения 4.1. Типовые критерии радиационной стойкости аналоговых ИМС 4.2. Радиационные эффекты в типовых ячейках аналоговых ИМС 4.3. Радиационные эффекты в интегральных операционных усили-
164 170
170
171
184
.......
4.4. Радиационные эффекты в интегральных компараторах напряже
194
196
19
5.1. Основные особенности радиационного поведения БИС. 5.2. Переходные ионизационные эффекты в элементах БИС 5.2.1. Приближение равновесного энерговыделения 5.2.2. Приближение неравновесного энерговыделения 5.3. Остаточные радиационные эффекты в элементах БИС 5.3.1. Равновесное энерговыделение
196
199
•
199
201
209
209
5.3.2. Неравновесное энерговыделение
218
5.4. Влияние излучений на параметры схем высокой степени инте- грации.
225
5.4.1. Электрические параметры
5.4.2. Функциональные параметры
225
233
242
ний.
Глава 5. Радиационные эффекты в БИС
Список литературы.
KArton 226
Skontaktuj się
Henryk
Liczba odsłon: 75
Zgłoś nadużycie
298,88 zł
