Podstawy działania przyrządów półprzewodnikowych A.K. Jonsch
- Pruszków, mazowieckie
- 18 Lip 16:30
- Nr ogłoszenia: 68577279
- Dostępność: dostępne
1 / 2
Obserwuj
- Oferta od osoby prywatnej
- Stan używane
- Okładka miękka
S
3
e
A
SI
8 0 IO II IS 13 I 12 Tе. I 18 18 50
SPIS TREŚCI
57
II
OI
10 IS 13 1 12 10
Wykaz ważniejszych symboli
1.1. Dziury i elektrony w modelu pasmowym
Rozdział 1. Zarys teorii półprzewodnika
13
1.2. Równowaga statystyczna .
1.3.
Pole elektrostatyczne i potencjał
17
27
1.4. Pólprzewodnik niejednorodny
1.5. Ładunek przestrzenny i stan neutralności elektrycznej
1.6. Złącze skokowe p-n
1.7. Złącze p-n o liniowym gradiencie
1.8. Końcowe uwagi odnośnie do materiałów niejednorodnych
1.9. Unoszenie nośników przez pole elektryczne
1.10. Dyfuzja nośników
1.11. Nośniki w silnych polach elektrycznych
Problemy dotyczące rozdziału 1 .
29
32
35
39
41
42
46
47
49
Piśmiennictwo
50
Rozdział 2. Gęstości nośników w stanie nierównowagi
2.1. Wstrzykiwanie nadmiarowych gęstości nośników
52
2.2. Szybkości przejść w stanie równowagi .
55
2.3. Rekombinacja w stanie ustalonym
59
2.4. Rekombinacja w stanie nieustalonym
2.5. Ogólne uwagi dotyczące pojęcia czasu życia
2.6. Szybkość rekombinacji powierzchniowej
2.7. Poziomy quasi-Fermiego
2.8. Czynniki wpływające na czas życia nośników Ioblemy dotyczące rozdziału 2.
Piśmiennictwo
Rozdział 3. Transport nadmiarowych gęstości nośników w ośrodku jednorodnym
65
67
70
72
73
74
76
Przedmowa
3.1. Wstęp
3.2.
Równania ciągłości
77
78
3.3. Równanie ambipolarne
81
3.4. Unoszenie impulsu nadmiarowych nośników
84
3.5. Modulacja przewodności nici
90
3.6. Dyfuzja nadmiarowych nośników w stanie ustalonym
Karton 190
Skontaktuj się
Henryk
Liczba odsłon: 91
Zgłoś nadużycie
14,44 zł
